Artykuły (WM)

Stały URI dla kolekcjihttp://hdl.handle.net/11652/206

Przeglądaj

Filtry

2011 - 20142

Ustawienia

Autorsearch.filters.applied.operator.equals: search.filters.author.Gołąbczak, MarcinTematsearch.filters.applied.operator.equals: search.filters.subject.surface layer

collection.search.results.head

Teraz wyświetlane 1 - 2 z 2
  • Pozycja
    Polishing of Hard Machining Semiconductor Materials Made of Silicon Carbide
    (Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej ; Katedra Dynamiki Maszyn - Wydział Mechaniczny Politechniki Łódzkiej, 2011) Gołąbczak, Marcin
    In the paper the application of silicon carbide (SiC) in electronics especially for production of p-i-n diodes have been shown. Also the technology of honing process of samples made of silicon carbide using grinding, lapping and polishing method has been presented. Finally the process of machining and the stand for surface preparation, selected investigation results concerning assessment of geometrical microstructure and morphology of SiC samples surface layer after machining process have been depicted.
  • Pozycja
    Badania porównawcze temperatury warstwy wierzchniej w procesie elektroerozyjnego szlifowania (AEDG) materiałów trudnoobrabialnych
    (2014) Gołąbczak, Andrzej; Święcik, Robert; Gołąbczak, Marcin; Stańczyk, Bartosz
    W artykule przedstawiono wyniki badań temperatury warstwy wierzchniej w procesie elektroerozyjnego szlifowania (AEDG) i porównawczo w procesie szlifowania konwencjonalnego materiałów trudno-obrabialnych (stopu tytanu 6TiAl4V i węglików spiekanych S20S). W porównywanych procesach szlifowania zastosowano ściernice supertwarde ze ścierniwa z regularnego azotku boru (CBN) i diamentu syntetycznego (SD) ze spoiwem metalowym.