Artykuły (WM)
Stały URI dla kolekcjihttp://hdl.handle.net/11652/206
Przeglądaj
2 wyniki
collection.search.results.head
Pozycja Polishing of Hard Machining Semiconductor Materials Made of Silicon Carbide(Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej ; Katedra Dynamiki Maszyn - Wydział Mechaniczny Politechniki Łódzkiej, 2011) Gołąbczak, MarcinIn the paper the application of silicon carbide (SiC) in electronics especially for production of p-i-n diodes have been shown. Also the technology of honing process of samples made of silicon carbide using grinding, lapping and polishing method has been presented. Finally the process of machining and the stand for surface preparation, selected investigation results concerning assessment of geometrical microstructure and morphology of SiC samples surface layer after machining process have been depicted.Pozycja Modelowanie mikrogeometrii powierzchni polerowanej stopu magnezu.(Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich, 2014) Gołąbczak, Andrzej; Konstantynowicz, Andrzej; Gołąbczak, MarcinW artykule przedstawiono nowe podejście do modelowania matematycznego mikrostruktury powierzchni po obróbce polerowania. Istota proponowanej metody polega na generowaniu powierzchni z jednoznacznie określonych analitycznie brył w postaci stożków kołowych i eliptycznych, o rozwarciu zależnym od modelowanej powierzchni. Losowość jest wprowadzona do modelu poprzez generowania wysokości i rozkładu stożków na powierzchni według odpowiednich rozkładów prawdopodobieństwa. Przeprowadzono rekonstrukcję morfologii polerowanej powierzchni stopu magnezu, w oparciu o przeliczalny zbiór próbek profilu powierzchni z badania mikroskopem AFM. Uzyskano bardzo dobrą zgodność parametrów statystycznych i morfologii powierzchni modelowanej i rzeczywistej.