Field emission and microstructural characterization of diamond films deposited by HF CVD method

Uproszczony widok
dc.contributor.authorJarzyńska, Dagmara
dc.contributor.authorStaryga, Elżbieta
dc.contributor.authorZnamirowski, Zbigniew
dc.contributor.authorFabisiak, Kazimierz
dc.contributor.authorGotszalk, Teodor
dc.contributor.authorWoszczyna, Mirosław
dc.contributor.authorStrzelecki, Włodzimierz
dc.contributor.authorDłużniewski, Maciej
dc.date.accessioned2015-06-03T11:19:23Z
dc.date.available2015-06-03T11:19:23Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractElectron emission from diamond films (DF) deposited using HF CVD technique on silicon substrates has been studied. The field emission characteristics were analyzed using the Fowler-Nordheim model. The diamond films were also characterized by Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscopy (AFM), Raman Spectroscopy (RS) and Electron Spin Resonance (ESR) techniques. The correlation between electron field emission of investigated films, Raman spectra and concentration of paramagnetic centres has been discussed. The electron emission properties of diamond films improved after doping with nitrogen. The field emission was obtained at turn-on electric field equal to about 10 V/µm and about 3 V/µm, for undoped diamond films and N-doped diamond films, respectively. It seems that the change of turn-on field values and other emissive properties of thin diamond layers may be caused by different content of non-diamond phase (e.g. graphite phase) induced by doping.en_EN
dc.description.abstractPrzeprowadzono badania emisji polowej z warstw diamentowych osadzonych przy użyciu metody HF CVD na podłożach krzemowych typu n i p. Charakterystyki emisyjne analizowano na podstawie modelu Fowlera-Nordheima. Wytworzone warstwy scharakteryzowano przy użyciu następujących metod: SEM, AFM, spektroskopii Ramana i Elektronowego Rezonansu Spinowego (ESR). Przeprowadzono dyskusję wyników, wskazując na korelację pomiędzy wynikami emisji polowej a koncentracją centrów paramagnetycznych oraz widmami ramanowskimi badanych warstw diamentowych. Zaobserwowano znaczną poprawę właściwości emisyjnych heterostruktur, w których warstwa diamentowa domieszkowana została azotem. Dla układów z niedomieszkowanymi warstwami diamentowymi wartość natężenia pola włączeniowego wynosiła około 10 V/ µm, zaś dla domieszkowanych azotem warstw diamentowych wartość ta równa jest 3 V/µm. Różnice w wartościach pola włączeniowego dla odpowiednich układów wynikają prawdopodobnie z różnej zawartości materii grafito-podobnej w badanych warstwach diamentowych. Warstwy domieszkowane azotem są silnie zdefektowane i zawierają znaczną ilość materii grafitopodobnej.pl_PL
dc.formatapplication/pdf
dc.identifier.citationSci. Bull. Tech. Univ. Lodz Phys., 2007 Vol.28 s.13-26 streszcz.
dc.identifier.issn1505-1013
dc.identifier.otherP-2376
dc.identifier.other0000016651
dc.identifier.otherW serii gł. nr 1010.
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11652/526
dc.language.isopl
dc.language.isoen
dc.publisherWydawnictwo Politechniki Łódzkiejpl_PL
dc.publisherLodz University of Technology. Pressen_EN
dc.relation.ispartofseriesSci. Bull. Tech. Univ. Lodz Phys., 2007 Vol.28en_EN
dc.titleField emission and microstructural characterization of diamond films deposited by HF CVD method
dc.title.alternativeEmisja polowa i charakterystyka mikrostruktury warstw diamentowych nanoszonych przy użyciu metody HF CVD
dc.typeArtykuł

Pliki

Oryginalne pliki
Teraz wyświetlane 1 - 1 z 1
Brak miniatury
Nazwa:
Field_emission_and_Jarzynska_2007.pdf
Rozmiar:
1.17 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Pobierz

Kolekcje

Artykuły (WFTIiMS)