Przeglądaj {{ collection }} wg Autor "Sibiński, Maciej"

Wpisz kilka pierwszych liter i kliknij przycisk przeglądania
Teraz wyświetlane 1 - 2 z 2
  • Pozycja
    Analiza właściwości cienkich warstw TiO2 do aplikacji w elastycznych przyrządach fotowoltaicznych i optoelektronicznych.
    (Wydawnictwo Sieci Badawczej Łukasiewicz - Instytutu Elektrotechniki, Warszawa, 2014) Sibiński, Maciej; Znajdek, Katarzyna; Tadaszak, Katarzyna; Posadowski, Witold; Sawczak, Mirosław
    Artykuł jest opisem analizy nowej metody nakładania cienkich warstw dwutlenku tytanu pod kątem jej aplikacji w ogniwach słonecznych z uwzględnieniem elastycznych struktur fotowoltaicznych. Uzyskane warstwy zostały poddane zarówno charakteryzacji optycznej i elektrycznej, jak również badaniom strukturalnym w celu weryfikacji możliwości ich zastosowań w charakterze emiterowych pokryć przewodzących w strukturach fotowoltaicznych. Dodatkowo, w ramach oceny potencjału zastosowania TiO2 w elastycznych ogniwach słonecznych, badane warstwy otrzymane na elastycznych podłożach PET zostały przetestowane pod kątem wpływu dynamicznych cykli zginania na zmianę ich rezystancji na kwadrat. Jako ostateczna weryfikacja potencjału uzyskanych warstw do produkcji przyrządów fotowoltaicznych wykonano prototypowe ogniwo słoneczne, pokryte TiO2, oraz sprawdzono jego podstawowe parametry elektryczne.
  • Pozycja
    Flexible, textronic temperature sensors, based on carbon nanostructures
    (Division IV: Engineering Sciences of the Polish Academy of Sciences, 2014) Walczak, S.; Sibiński, Maciej
    The paper presents a comparative analysis of two types of flexible temperature sensors, made of carbon-based nanostructures composites. These sensors were fabricated by a low-cost screen-printing method, which qualifies them to large scale, portable consumer electronic products. Results of examined measurements show the possibility of application for thick film devices, especially dedicated to wearable electronics, also known as a textronics. Apart from general characterisation, the influence of technological processes on specific sensor parameters were examined, particulary the value of the temperature coefficient of resistance (TCR) and its stability during the device bending.