Modification of Bragg-Williams approximation applied in Jackson's model of crystal growth

Brak miniatury

Data

2010

Tytuł czasopisma

ISSN czasopisma

Tytuł tomu

Wydawca

Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Lodz University of Technology. Press

Abstrakt

Results of Monte Carlo simulations for single-layer solid-fluid interface were compared with Bragg-Williams approximation, which describes the number of bonds between solid and fluid cells in Jackson's crystal growth model. The comparison shows that Bragg-Williams approximation produces much higher values than those resulting from simulations. The use of better approximations based on the results of the simulation does not lead directly to improvement of predictions given by Jackson's model, but rather reveals further problems. In particular, the estimation of entropy seems to be also very overvalued. Monte Carlo simulations were used also to investigate the number of stable states of a single boundary layer for various crystal growth conditions. The results obtained differ significantly from those resulting from the analysis of free energy minima in Jackson's model, but are in good agreement with the results of multi-layer simulations.
Wyniki symulacji Monte Carlo dla jednowarstwowej granicy faz porównano z przybliżeniem Bragga-Williamsa, które w modelu Jacksona wzrostu kryształów opisuje liczbę wiązań między blokami stałymi i ciekłymi. Porównanie to pokazało, ze przybliżenie Bragga-Williamsa daje znacznie większe wartości od tych otrzymanych na podstawie symulacji. Zastosowanie lepszego przybliżenia opartego na wynikach symulacji nie prowadzi wprost do poprawy przewidywań modelu Jacksona, lecz raczej ujawnia kolejne problemy. W szczególności oszacowanie entropii wydaje się także bardzo zawyżone. Symulacje Monte Carlo zastosowano także do zbadania liczby stanów stabilnych pojedynczej warstwy granicznej w zależności od warunków wzrostu kryształu. Uzyskane wyniki różnią się znacznie od tych wynikających z analizy liczby minimów energii swobodnej w modelu Jacksona, natomiast pozostają w dobrej zgodności z wynikami symulacji wielowarstwowych.

Opis

Słowa kluczowe

Cytowanie

Sci. Bull. Tech. Univ. Lodz Phys., 2010 Vol.31 s.25-36 streszcz.