Modification of Bragg-Williams approximation applied in Jackson's model of crystal growth

dc.contributor.authorIzdebski, Marek
dc.date.accessioned2015-06-03T11:19:26Z
dc.date.available2015-06-03T11:19:26Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractResults of Monte Carlo simulations for single-layer solid-fluid interface were compared with Bragg-Williams approximation, which describes the number of bonds between solid and fluid cells in Jackson's crystal growth model. The comparison shows that Bragg-Williams approximation produces much higher values than those resulting from simulations. The use of better approximations based on the results of the simulation does not lead directly to improvement of predictions given by Jackson's model, but rather reveals further problems. In particular, the estimation of entropy seems to be also very overvalued. Monte Carlo simulations were used also to investigate the number of stable states of a single boundary layer for various crystal growth conditions. The results obtained differ significantly from those resulting from the analysis of free energy minima in Jackson's model, but are in good agreement with the results of multi-layer simulations.en_EN
dc.description.abstractWyniki symulacji Monte Carlo dla jednowarstwowej granicy faz porównano z przybliżeniem Bragga-Williamsa, które w modelu Jacksona wzrostu kryształów opisuje liczbę wiązań między blokami stałymi i ciekłymi. Porównanie to pokazało, ze przybliżenie Bragga-Williamsa daje znacznie większe wartości od tych otrzymanych na podstawie symulacji. Zastosowanie lepszego przybliżenia opartego na wynikach symulacji nie prowadzi wprost do poprawy przewidywań modelu Jacksona, lecz raczej ujawnia kolejne problemy. W szczególności oszacowanie entropii wydaje się także bardzo zawyżone. Symulacje Monte Carlo zastosowano także do zbadania liczby stanów stabilnych pojedynczej warstwy granicznej w zależności od warunków wzrostu kryształu. Uzyskane wyniki różnią się znacznie od tych wynikających z analizy liczby minimów energii swobodnej w modelu Jacksona, natomiast pozostają w dobrej zgodności z wynikami symulacji wielowarstwowych.pl_PL
dc.formatapplication/pdf
dc.identifier.citationSci. Bull. Tech. Univ. Lodz Phys., 2010 Vol.31 s.25-36 streszcz.
dc.identifier.issn1505-1013
dc.identifier.other0000030581
dc.identifier.otherW serii gł. nr 1082.
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11652/553
dc.language.isopl
dc.language.isoen
dc.publisherWydawnictwo Politechniki Łódzkiejpl_PL
dc.publisherLodz University of Technology. Pressen_EN
dc.relation.ispartofseriesSci. Bull. Tech. Univ. Lodz Phys., 2010 Vol.31en_EN
dc.titleModification of Bragg-Williams approximation applied in Jackson's model of crystal growth
dc.title.alternativeModyfikacja przybliżenia Bragga-Williamsa w modelu Jacksona wzrostu kryształów
dc.typeArtykuł

Pliki

Oryginalne pliki
Teraz wyświetlane 1 - 1 z 1
Brak miniatury
Nazwa:
Modification_of_Bragg-Williams_Izdebski_2010.pdf
Rozmiar:
854.6 KB
Format:
Adobe Portable Document Format