Electron drift mobility in anthrone layers

Uproszczony widok
dc.contributor.authorKania, Sylwester
dc.date.accessioned2015-06-03T11:19:27Z
dc.date.available2015-06-03T11:19:27Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractThere were investigated the magnitude of the mobility and the Type of the mechanism of the electron transport in the anthrone layers with a different grade of the structural order, namely in polycrystalline and quasi-amorphous layers. The anthron samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with different substrate temperatures and with different evaporation rates. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X-ray diffraction. Drift electron mobility for obtained polycrystalline and quasi amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results show the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Both obtained mobility values, were less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level but simultaneously estimated density of hopping states was relatively big. In this case it does not permit us to indicate the dominant transport mechanism.en_EN
dc.description.abstractBadano proces transportu elektronów w warstwach antronu o różnym stopniu uporządkowania, to jest w warstwach polikrystalicznych i quasi-amorficznych. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano, że prawie nie występuje zależność ruchliwości od stopnia uporządkowania. Dla obu struktur uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs, z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Mimo iż wielkości te przemawiają za transportem hoppingowym, to wydaje się, że otrzymane wartości gęstości stanów są na tyle duże, że należy się zastanowić, czy faktycznie mamy do czynienia z transportem przeskokowym w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Poza tym nie obserwujemy wpływu struktury krystalicznej warstw na wielkość ruchliwości, chyba, że dla polikrystalicznych warstw gęstość stanów jest na tyle duża, że nie należy spodziewać się jej wzrostu. Powyższe skłania nas do stwierdzenia, że nie można jednoznacznie określić, z jakim rodzajem transportu dla elektronów mamy tu do czynienia.pl_PL
dc.formatapplication/pdf
dc.identifier.citationSci. Bull. Tech. Univ. Lodz Phys., 2011 Vol.32 s.13-22 streszcz.
dc.identifier.issn1505-1013
dc.identifier.other0000034596
dc.identifier.otherW serii gł. nr 1105.
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11652/562
dc.language.isopl
dc.language.isoen
dc.publisherWydawnictwo Politechniki Łódzkiejpl_PL
dc.publisherLodz University of Technology. Pressen_EN
dc.relation.ispartofseriesSci. Bull. Tech. Univ. Lodz Phys., 2011 Vol.32en_EN
dc.titleElectron drift mobility in anthrone layers
dc.title.alternativeDryftowa ruchliwość elektronów w warstwach antronu
dc.typeArtykuł

Pliki

Oryginalne pliki
Teraz wyświetlane 1 - 1 z 1
Brak miniatury
Nazwa:
Electron_drift_mobility_Kania_2011.pdf
Rozmiar:
393.78 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Pobierz

Kolekcje

Artykuły (WFTIiMS)