Photo-enhancement of space-charge limited currents in
deliberately modified thin-film structures is studied using numerical
methods. The obtained results suggest that it should be possible to
obtain optically induced increase in current density of the order of 107
in modified thin film structures as a result of deliberate modification
of trap density at the emitter consisting in formation of high density
of traps at the emitter.
Badane są metodami numerycznymi prądy ograniczone ładunkiem
przestrzennym w świadomie modyfikowanych strukturach cienkowarstwowych. Otrzymane wyniki sugerują, że powinno być możliwe uzyskanie optycznie indukowanego wzrostu gęstości prądu rzędu 107 w układach z modyfikacją koncentracji pułapek przy emiterze, polegającą na wytworzeniu cienkiej warstwy o dużej koncentracji pułapek.
